반도체 전공정 - 2.산화공정

2)산화공정

 

잉곳에 의해 만들어진 웨이퍼는 전기가 통하지 않는 부도체 상태이다 그래서 반도체 형질로 변화를 시키기 위해서는 여러 공정을 거치는 가장 기초단계가 산화공정이다

웨이퍼에 고온의 산소를 뿌려서 표면에 부도층을 만들어주는것이다 이렇게 si+o2 가 결합되어 산화실리콘이라는 산화막을 형성하며 이것은 회로와 회로사이에 누설전류가 흐르는것을 차단하기 위함이며 이온주입공정에서 확산방지막 역활을 하고 식각공정에서는 필요한 부분을 잘못식각되는 것을 막는 방지막 역활도 한다

 

열산화 방식에서는 가스가 나가는 부분과 들어오는 부분이 상대적으로 균일성이 떨어지기 때문에 전체적으로 균일성을 위해서 앞뒤로 더미웨이퍼를 배치한다 (더미웨이퍼 관련하여서는 티씨케이에서 제작)

정어리님 블로그 참조 (상:원익IPS 하:예스티) #원익IPS #예스티

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